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          三星電子第七代V-NAND閃存將達到至少160層

          作者 : 電子商務

          日期 : 2020-10-05 14:24

          科技號消息,根據外媒的報道,三星電子正在開發其第代V-NAND閃存,第一款產品將至少達到層。

          外媒表示,三星的層的V-NAND產品可能會在長江儲存層產品大量上市時推出,時間大約是年底。

          月日,長江存儲科技有限責任公司宣布其層QLC D NAND 閃存(型號: X-)研發成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。長江存儲表示,X-擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量,擁有.Gb/s高速讀寫性能和.Tb高容量。


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